年度 | 2009 |
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全部作者 | 李義明 |
論文名稱 | Todd G. MCKenzie and Yiming Li, "A Drain-Current Model for DG PMOSFETs with Fabricated 35nm Device Comparison" , International Journal of Computational Science and Engineering, Vol. 2, No. 3-4, Nov. 2006, pp. 144-147 (EI期刊), 2006年11月 |
發表日期 | 2009-03-31 |